不論是零件加工(gong)還是食品、藥品檢測工(gong)作，大(da)都需(xu)要現在實驗(yan)室(shi)中(zhong)進(jin)行實驗(yan)，從而得(de)到效果，而實驗電爐就是一種十(shi)分常見(jian)的(de)實驗(yan)室加(jia)熱設備(bei)，其主要(yao)的(de)加(jia)熱元件就是硅(gui)碳(tan)棒。其實實驗(yan)電(dian)爐的(de)加(jia)熱元件有很多種，但是硅(gui)碳(tan)棒卻是十(shi)分常用的(de)一種，和它(ta)自身的(de)性能是離不開的(de)，那(nei)么實驗(yan)電(dian)爐硅(gui)碳(tan)棒性能到底有哪些呢(ni)？
　　

　　一、實驗電爐硅碳棒性能

　　
　　1、硅碳(tan)棒(bang)(bang)（SiC）電熱元件(jian)是選用綠色高(gao)(gao)(gao)純(chun)度(du)(du)(du)六(liu)方碳(tan)化硅為主(zhu)要原料(liao)，經加(jia)工制(zhi)胚、高(gao)(gao)(gao)溫(wen)(wen)硅化、經2200℃高(gao)(gao)(gao)溫(wen)(wen)再結晶而(er)成(cheng)的(de)(de)(de)棒(bang)(bang)狀(zhuang)非金屬高(gao)(gao)(gao)溫(wen)(wen)電熱元件(jian)。棒(bang)(bang)的(de)(de)(de)表(biao)(biao)面溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)可(ke)以(yi)(yi)達到1450℃；但是當棒(bang)(bang)的(de)(de)(de)表(biao)(biao)面溫(wen)(wen)度(du)(du)(du)超(chao)過(guo)(guo)1500℃時，棒(bang)(bang)的(de)(de)(de)老化速度(du)(du)(du)加(jia)劇，很容易(yi)燒毀。在合理使用條(tiao)件(jian)下，可(ke)連續使用超(chao)過(guo)(guo)2000小時。硅碳(tan)棒(bang)(bang)的(de)(de)(de)使用壽(shou)命除了內在質(zhi)量差(cha)異以(yi)(yi)外(wai)，還與硅碳(tan)棒(bang)(bang)使用過(guo)(guo)程(cheng)中所(suo)承受(shou)的(de)(de)(de)表(biao)(biao)面負荷（表(biao)(biao)面負荷越(yue)大使用壽(shou)命越(yue)短），所(suo)處的(de)(de)(de)環(huan)境(jing)氣氛(fen)、加(jia)熱方式（間斷(duan)加(jia)熱或連續加(jia)熱）以(yi)(yi)及元件(jian)使用過(guo)(guo)程(cheng)中的(de)(de)(de)串(chuan)并聯方式等因素有關。

　　2、硅碳(tan)棒(bang)質地(di)硬而脆，膨脹系數小(xiao)、耐急冷急熱能力(li)好，不(bu)易變(bian)形，有良好的化(hua)學穩定性，抗(kang)酸能力(li)、與強酸不(bu)反應。
　　3、硅(gui)碳(tan)(tan)棒(bang)(bang)的(de)(de)電阻(zu)值(zhi)，隨著元(yuan)件溫(wen)度的(de)(de)變化(hua)而變化(hua)，因(yin)為硅(gui)碳(tan)(tan)棒(bang)(bang)是一種非線性型電阻(zu)體。從(cong)室溫(wen)至900度左右(you)電阻(zu)值(zhi)由大變小，900左右(you)以上硅(gui)碳(tan)(tan)棒(bang)(bang)的(de)(de)電阻(zu)值(zhi)由小變大，也就是說900度左右(you)時硅(gui)碳(tan)(tan)棒(bang)(bang)的(de)(de)電阻(zu)值(zhi)小，一般所(suo)說硅(gui)碳(tan)(tan)棒(bang)(bang)電阻(zu)值(zhi)即(ji)該溫(wen)度下的(de)(de)電阻(zu)值(zhi)。

　　二、硅碳棒使用注意事項

　　1、電爐使(shi)用時，爐溫(wen)不(bu)得長時間超過額定溫(wen)度，以免損壞(huai)加熱元件(jian)。禁止向爐內灌(guan)注各種可燃(ran)性液體及熔解的金屬。
　　2、硅(gui)碳棒(bang)硬而脆，故在裝(zhuang)卸時應特別小心。
　　3、硅碳棒應存放在干燥的地方，以(yi)防鍍鋁端(duan)頭(tou)受潮變(bian)質。
　　4、熔(rong)融的KOH、NaOH、Na2CO3和 K2CO3 在紅熱(re)溫度時分解SiC,硅(gui)(gui)碳棒與(yu)堿、堿土金屬、硫酸鹽(yan)、硼化物等接觸(chu)會被腐(fu)蝕，應嚴(yan)禁它(ta)們與(yu)硅(gui)(gui)碳棒接觸(chu)。
　　5、硅碳棒(bang)(bang)接線(xian)應與棒(bang)(bang)冷端(duan)的白色鋁頭(tou)緊密接觸(chu)，以免發(fa)生打火(huo)現象。
　　6、硅碳棒在600℃時(shi)(shi)與(yu)(yu)Cl2發生反應，在1300-1400℃時(shi)(shi)與(yu)(yu)水蒸氣發生反應，硅碳棒在1000℃以下不(bu)被氧(yang)化(hua)，在1350℃時(shi)(shi)顯(xian)著(zhu)地氧(yang)化(hua)，在1350-1500℃之(zhi)間形成SiO2保護膜附(fu)著(zhu)在硅碳棒表(biao)面，阻(zu)止SiC再繼(ji)續氧(yang)化(hua)。
　　7、硅(gui)碳棒的電阻值隨著(zhu)硅(gui)碳棒的使用時間增加而增加，反應(ying)如(ru)下：
　　SiC + 2O2=SiO2 + CO2
　　SiC + 4H2O =SiO2 + 4H2 + CO2
　　SiO2的(de)含(han)量越(yue)多，硅(gui)碳(tan)棒(bang)的(de)電阻值就越(yue)大，因此新舊硅(gui)鉬棒(bang)不可以混(hun)合(he)使用，否則(ze)電阻值不均衡(heng)，對溫場(chang)和(he)硅(gui)碳(tan)棒(bang)的(de)使用壽命非常不利。